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EEPROM
解决方案：EEPROM
PCM在传统EEPROM上的优势：
PCM的存储单元的尺寸较小，并且可靠的搽写次数可以大多于目前市面上的相应指标100万次！
在工艺制程上也相对于传统的工艺简单，在成本和性能上都有一定的优势。넶15 2024-07-02 -
Novel EEPROM
综合EEPROM的可靠性及可以页面多字节擦写的中容量NOR Flash的特性，以内存控制器进行字节级的写入操作，再加上PCM写入之前不需要擦除的特性。可以结合EEPROM与NOR Flash各自的优势，制造出低功耗、高速率的、高可靠性的Page EEPROM产品。
넶24 2024-06-24 -
MCU
解决方案：MCU嵌入式存储
传统嵌入式NOR在40nm以下面对挑战：
40nm以下嵌入式NOR的工艺已经面临了Oxide太薄所产生的漏电和高压所引起的短沟道效应，使产品的可靠性受到影响，克服这影响将使产品制造成本大幅提高，而PCM技术在40nm以下的MCU应用中有以下明显的优势： 1）与40nm以下CMOS工艺的兼容性使制程工艺得以保持传统简单，成本降低 2) 微缩的延伸性可达18nm以下，甚至更低 3） 鉴于目前的国际形势，国内代工厂面对可能无法再从Silicon Storage Techonlogy (SST)得到授权的困境 传统的MCU在40纳米以下几乎无法满足市场的需求，PCM则是很好的解决方案，尤其是在车载MCU市场，PCM几乎是唯一的解决方案。车载的规格要求极为严苛，达到零级。意法半导体于2024年3月19日在日内瓦宣布了18nm基于嵌入式PCM（ePCM）的车载MCU（STM32）。넶43 2024-04-28 -
大容量NOR
PCM可以轻松突破>1Gb容量
随着IoT行业，电动汽车和智能驾驶的高速发展导致了市场对于NOR Flash的大量需求，电动和智能汽车 NOR Flash 使用量可达 1Gb，随着汽车不断智能化，智能驾驶舱系统、传感器系统、车联网模块等各种部件都可以配置 NOR Flash，车用 NOR Flash 容量的提升将是长期趋势。
应用于 5G 基站的NOR Flash 市场规模迅速增长，单个 5G 基站的 AAU 和 BBU 使用 6 颗以上 NOR Flash，且以 1-2Gb 大容量 NOR Flash 为主，基站已经成为 NOR Flash的需求大户。
但是传统电子存储技术的NOR突破512M非常困难，目前只有台湾旺宏和Infineon可以做到1Gb以上的NOR，在国内先进的NOR供应商，仅能做到512M，且是叠封的。而PCM技术可以轻松突破1Gb，甚至达到2Gb，具有很好的市场前景。넶27 2024-04-26
