产品种类

2019年

溥元611（EEPROM）  NOR FLASH

2025年

大容量3D PCM高密度相变产品

2026年

TCAM

2028年

神经网络存储

产品种类

产品简介

EEPROM

——基于相变材料的2兆位电擦除可编程只读相变存储器（EEPROM）

产品概况和性能参数介绍：

---采用先进的40纳米CMOS工艺制程

---芯片尺寸1.96 mm2

---数据存储前无需进行擦除动作

---低功耗，工作电压1.8V-3.6V，静态工作电流1uA

---SPI接口，最大工作频率30MHz

---单页（256字节）写入时间小于2.5ms

产品可靠性参数介绍：

---产品耐擦写次数大于10^7次

---强大的抗辐射性能

---25℃环境下数据保存时间可达100年

---工作温度-40℃—+85℃

---2kV   ESD防静电保护能力

NOR FLASH

——基于相变材料的64兆位NOR FLASH相变存储器

---采用先进的40纳米CMOS工艺制程

---芯片尺寸13.74 mm2

---存储数据前无需进行擦除动作

---工作电压+1.8V—+3.6V

---Standard   SPI、Dual   SPI 、Quad   SPI接口，最大工作频率133MHz

产品可靠性参数介绍：

---产品耐擦写次数大于10^5次

---强大的抗辐射性能

---25℃环境下数据保存时间20年

---工作温度-40℃—+85℃

---2kV   ESD防静电保护能力

大容量3D PCM高密度相变产品

通过交叉节点的结构，实现PCM存贮器阵列的高密度集成。交叉节点(cross-point)结构的关键技术，选择器(selector)应用AMT特有的材料和工艺，目前工艺研发已取得阶段性成果。后续产品的研发已经展开，预计2020年开始样品的生产。

TCAM

三态内容寻址存储器 TCAM   (Ternary Content Addressable Memory)是一种新型存储器，与传统的存储器不同，TACM可依据内容对表内所有条目都可以并行访问，而非依据地址逐条访问。PCM为基础的TCAM具有占地面积小，功耗低的优点。在人工智能运算领域具有巨大潜力。

神经网络存储

基于神经网络的智能存储器(Smart Memory)，应用PCM技术模拟人脑神经元之间突触(Synapse)的相互作用，从而可以使存储器阵列进行某种专项的逻辑运算。由于PCM技术具有非易失性，通过PCM实现的运算，功耗极低。将智能存储器应用与IoT的传感器上，可以有效的分担传感器对网络和云计算的负荷，从而进一步拓展物联网的功能。