工艺制程/Process Technology
PCM的存储单元的稳定性及性能在业界已经被充分的验证，并且制造PCM存储单元的工艺是完全兼容的，因此可以制造出综合了EEPROM的可靠性和NOR的容量的产品。PCM技术在大容量NOR产品中，由于其结构简单、可靠性高、单位存储密度高、抗辐射等诸多优势，使其容量可以轻松突破1Gb以上。 在5G基站和车载电子系统中能得到更广泛的应用。
中低容量存储
业界已经完全验证了逻辑电路及嵌入式存储之间工艺的兼容性并在存储单元的稳定性（Reliability and Endurance）。 稳定的PCM存储单元不但可以制造出EEPROM 和中低容量的NOR产品，还可以 综合EEPROM的可靠性及可以页面多字节擦写的中容量NOR Flash的特性，以内存控制器进行字节级的写入操作，再加上PCM写入之前不需要擦除的特性，制造出低功耗、高速率的、高可靠性的新型产品。
大容量NOR Flash
应用于5G 基站的NOR Flash 市场规模迅速增长，单个5G 基站的 AAU 和 BBU 使用 6 颗以上NOR Flash，且以1-2Gb大容量NOR Flash为主，基站已经成为大容量NOR Flash的主要市场。
随着智能驾驶的高速发展导致了市场对于NOR Flash的大量需求，新能源汽车NOR Flash 使用量可达1Gb，随着汽车不断智能化，智能驾驶舱系统、传感器系统、车联网模块等各种部件都需要配置 NOR Flash，车用NOR Flash容量的提升将是长期趋势。
ePCM嵌入式存储在40nm以下的MCU应用中具有逻辑制程兼容、工艺成本大幅降低等优势。在实际产品应用中，意法半导体已量产基于ePCM存储技术的28nm车规MCU，并达到车规“0级”（Auto Grade 0），并且意法半导体2024年3月19日在日内瓦发布了下一代基于嵌入式PCM（ePCM）的18nm车规级MCU（STM32）。
MCU
相变射频开关（PCM RF Switch）有能力实现超过10THz的截止频率，其在微波和毫米波频段的插入损耗，是目前各种开关中最低的，甚至低于以低插损著称的MEMS射频开关。由于5G频段需要向4G LTE兼容，随着频段的增长，4G设备所需的开关为5-7颗，5G设备的开关用量为16颗左右。相变开关技术的Ron x Coff<10fs，可以使开关频率支持5G的所有频段，并进一步扩展到毫米波。因此相变射频开关在5G市场和未来的6G市场上拥有更广阔的的市场前景。
射频开关
邮箱：amt@amtpcm.com
电话：010-62486432
地址：北京市海淀区西土城路蓟门壹号 6号楼405-2
—————————————————————————————————
版权所有©北京时代全芯存储技术股份有限公司
