江苏时代全芯存储科技有限公司-核心团队

核心团队 Core Team

张龙 | AMT&AMS董事长

中国法律院校本科毕业，从事十余年律师专业工作，现为北京时代全芯存储技术股份有限公司暨江苏时代芯存半导体有限公司董事长，具有丰富公司管理经验，专业的律师背景以及多年与国外公司合作的经历，2004年始，致力公司成为以科技产业为主业的集团公司，集团公司正逐渐以半导体存储芯片为核心，期许为国家打造具有全球竞争力的集成电路公司。

谢明院士 | AMT董事

- 南加州大学电机硕士

- 成立Cogent Systems公司，Fulgent Therapeutics

- 南加州大学的董事会董事

- 美国国家工程学院院士。

杨剑辉董事 | AMT董事

- 台湾大学电机工程系学士、美国麻省理工学院管理学院硕士、上海华东师范大学文学硕士

- 美国GE通用电气公司国际业务副总裁

- 新加坡新华投资有限公司执行董事。

曾邦助 Ben Tseng 博士 | AMT副董事长/AMS总裁（CEO）

-台湾大学电机系学士

-美国南卡罗来纳大学电机博士 -美国圣塔克拉拉大学电机系教授及客座教授 -先后任职美国AMD公司研发经理

-台湾力晶半导体公司研发副总

-台湾东元集团董事会资深技术顾问

-台湾剑度公司董事会首席技术顾问

-台湾茂德科技公司市场行销总经理兼发言人

-日本凸版印刷株式会社资深技术顾问、时代全芯股份有限公司

-时代芯存半导体有限公司首席执行官，时代全芯股份有限公司执行副总

-台湾半导体产业协会（TSIA）理事

-台湾科学园区同业工会理事。

林仲汉 Chung H. Lam 博士 | AMT首席技术总裁（CTO）

Chung H．Lam博士于1978年获得纽约理工大学学士学位，并分别于1987及1988年获得壬色列理工学院电子工程硕士及博士学位，自1978年起加入IBM公司，任职于IBM微电子部门，负责多项半导体领域，包含电路及元件设计的研究、发展及制造，同时参与记忆体及逻辑应用的制程整合。自2003起， Chung调任IBM华生研究中心，2007年荣登IBM杰出工程师，自离开IBM后担任北京时代全芯存储技术股份有限公司首席技术总裁（CTO）。

Chung H．Lam为国际电机电子学会非辉发性记忆体研讨会（ IEEE Non-volatile Memory Workshop）、国际超大型积体电路技术、系统暨应用研讨会（VLSI－TSA）、国际电子元件技术记忆体技术研讨会（ IEDM Memory Technology）之技术委员。目前他参与中国国际半导体技术大会（CSTIC）及国际半导体技术发展路线图制程整合及元件架构（ITRS PIDS）之技术委员会，自2004年起， Chung管理华生研究中心相变型记忆体共同计划，截至目前己经获得超过250篇美国专利及发表超过65篇技术论文。