AMT对晋华事件的看法

10月29日美国商务部宣布对福建晋华公司采取制裁措施，限制晋华从美国进口设备和原器件。

纵观晋华与美光的恩怨发展过程，美光在美国起诉晋华侵犯知识产权，晋华在中国起诉美光侵犯知识产权，最后发展到美国商务部制裁晋华，其核心问题在于晋华生产的存储器DRAM，也正是美光的核心产品。

DRAM、3 D NAND作为第三代存储器的核心产品，从30年前生产到现在，其核心的技术和知识产权一直掌控在美国、三星等半导体巨头手中，甚至与晋华合作的台湾企业也从未研发出DRAM，任何一家企业想越过已经成熟的DRAM、3 D NAND技术和知识产权而自成一体，都是不现实的，在这一点上我们应当保持非常清醒的认识。

鉴于美光和三星公司已经在第三代存储上建立了牢不可破的知识产权壁垒，要想自主研发出而又不侵犯知识产权，且能在市场上占有一席之地的产品，希望几乎是微乎其微。除非你花很大的代价购得相关的知识产权，生产同类的产品，这里又存在着巨大的成本风险和技术过时的风险，最终会得不偿失。

因此,在半导体界，尤其是存储器生产，拥有合法的知识产权和自主创新能力是必须的，只有在这个基础上，才能设计并生产出有竞争力的产品，而又不被别人起诉。

那么中国如何能在存储器领域后来居上，实现换道超车呢？目前最有希望的是在第四代存储器上发起冲击，第四代存储器有PCRAM（相变存储）、MRAM（磁性随机存储）， RRAM（金属氧化物存储）等，美光和英特尔已实现PCM存储器量产，目前业界公认的是中国有可能在PCRAM存储器上实现突破，中国企业已经掌握了PCMRAM存储器技术、工艺和完整的知识产权，与国际先进水平处于同一水平上。

综上所述，晋华事件绝不是中兴第二，更不是单纯的美国对中国芯片产业的打压和对“中国制造2025”的遏制，而是再次提醒我们：在半导体产业发展中掌握知识产权和提升自主创新能力的重要性。（Long、Eric、Roy）